МОСКВА, 15 ноября. /Корр. ТАСС-Телеком/. Компания Samsung Semiconductor запустила производство новых скоростных карт памяти NAND, основанных на новом 10-нанометровом процессе, сообщается на официальном сайте компании.
Мультимедиа карта (eMMC) будет встраиваться в супертонкие смартфоны нового поколения. По сравнению с предыдущим 20-нанометровым процессом новые карты памяти будут увеличивать эффективность работы на 30% и занимать на 20% меньше места. В одном накопителе NAND будет 64ГБ свободного пространства
Скорость передачи информации будет составлять 2000 IOPS (ввод/вывод единицы информации в секунду). Кроме того, скорость чтения и записи информации составит 260 МБ/с и 50 МБ/с соответственно. Это процесс будет происходить в 10 раз быстрее, чем при использовании внешних карт памяти десятого поколения. Их скорость чтения составляет 24 МБ в секунду, а записи — 12МБ в секунду. Представители Samsung утверждают, что новые карты памяти повысят точность работы смартфонов.
Предполагается, что в продажу карты памяти NAND поступят в первом квартале 2013 года, так как массовое производство началось еще в конце октября.
Источник: http://tasstelecom.ru/news/one/14497
Источник: