VLSI 2012: Представлена концепция гибридного накопителя
На ежегодном симпозиуме VLSI 2012 была продемонстрирована интересная работа группы ученых из японского университета Чуо. Они разработали твердотельный накопитель — гибрид памяти NAND и микросхем ReRAM, которые были изобретены недавно в Лондоне.
Комбинируя полезные стороны обеих технологий ученые добились удивительного скорости передачи информации при довольно значительном объема накопителя.Прототип имеет 256 Гб NAND и 8 Гбит ReRAM памяти. Контроллер устройства работает согласно особых алгоритмов, регулирующих информационные каналы, поэтому может похвастаться скоростью, в 10 раз превышает способности современных SSD. Ученые даже нашли способ продлить срок эксплуатации гибридных систем на 68% и уменьшить энергозатраты на 93%!
Руководитель проекта Кен Такеучи уверен, что изобретение имеет большие перспективы, ведь предлагает значительно лучшие характеристики чем современные скоростные твердотельные накопители.
Также ознакомьтесь с похожими статьями:
Источник: